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CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動(dòng)GAN挺進(jìn)超100億美元的電動(dòng)汽車(chē)逆變器市場(chǎng)

無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計(jì)和運(yùn)行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)滿(mǎn)足100kW 以上的電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場(chǎng)超過(guò)100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個(gè)模塊或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，為昂
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基于GaN的汽車(chē)應(yīng)用的最新進(jìn)展是什么？

電動(dòng)汽車(chē) （EV）越來(lái)越受歡迎，因?yàn)榫鞯南M(fèi)者，尤其是在加利福尼亞州，認(rèn)識(shí)到出色的加速性能的優(yōu)勢(shì)，例如，當(dāng)紅綠燈變綠時(shí)，汽油動(dòng)力汽車(chē)可能會(huì)被塵土甩砸。這是因?yàn)殡妱?dòng)機(jī)在駕駛員踩下油門(mén)的那一刻就會(huì)產(chǎn)生峰值扭矩。然而，與內(nèi)燃機(jī) （ICE）汽車(chē)相比，電動(dòng)汽車(chē)的主要?jiǎng)訖C(jī)是能源效率。EV 車(chē)載電池充電器EV1 的車(chē)載電池充電器（OBC）完全能夠?yàn)閬?lái)自交流電網(wǎng)的高壓牽引電池充電（圖 1）。停放的車(chē)輛插入 EV 1 級(jí)和 2 級(jí)交流充電站之一，這些充電站出現(xiàn)在停車(chē)場(chǎng)、家庭、公司、購(gòu)
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氮化鎵（GaN）賦能D類(lèi)音頻放大器的未來(lái)

了解如何將氮化鎵（GaN）功率晶體管技術(shù)應(yīng)用于D類(lèi)音頻放大器，可以提高信號(hào)保真度，降低功耗，并提供比硅更輕、更具成本效益的解決方案。在音頻工程中，放大器是傳遞強(qiáng)大、沉浸式聲音的核心設(shè)備。這些設(shè)備將低功率音頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為豐富、高功率的輸出，從而驅(qū)動(dòng)從便攜式揚(yáng)聲器到專(zhuān)業(yè)音響系統(tǒng)的一切設(shè)備。在過(guò)去十年中出現(xiàn)的各種放大器設(shè)計(jì)中，有一種脫穎而出：D類(lèi)放大器。以其高效性和廣泛使用而聞名，D類(lèi)技術(shù)主導(dǎo)了現(xiàn)代音頻領(lǐng)域。然而，即使是最受歡迎的放大器也有其局限性。當(dāng)前的D類(lèi)音頻系統(tǒng)雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰(zhàn)。D類(lèi)放大器
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GaN功率FET及背后柵極驅(qū)動(dòng)器在LiDAR傳感器中的作用

氮化鎵（GaN）功率器件因其超快的開(kāi)關(guān)速度和有限的寄生效應(yīng)而成為 LiDAR 傳感器的核心構(gòu)建模塊之一，從而在高總線電壓和窄脈沖寬度下實(shí)現(xiàn)高峰值電流。為了迎來(lái)自動(dòng)駕駛汽車(chē)的未來(lái)，必須在車(chē)輛系統(tǒng)內(nèi)使用更先進(jìn)的傳感器。LiDAR 是檢測(cè)自動(dòng)駕駛汽車(chē)周?chē)矬w存在的更廣泛使用的傳感器之一，它是光檢測(cè)和測(cè)距的縮寫(xiě)，它從激光射出光并測(cè)量場(chǎng)景中的反射，有點(diǎn)像基于光的雷達(dá)。車(chē)輛的車(chē)載計(jì)算機(jī)可以使用這些數(shù)據(jù)來(lái)解釋汽車(chē)與周?chē)h(huán)境的關(guān)系以及道路上是否存在其他汽車(chē)和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個(gè)非?？焖俚拈_(kāi)關(guān)，該開(kāi)關(guān)為
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50V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開(kāi)關(guān)特性，因此在工業(yè)設(shè)備、車(chē)載設(shè)備以及需要支持大功率的應(yīng)用領(lǐng)域被越來(lái)越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導(dǎo)體后道工序供應(yīng)商（OSAT）擁有豐富業(yè)績(jī)的日月新半導(dǎo)體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ATX”）。
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日本電裝開(kāi)發(fā)出GaN 三電平汽車(chē)電驅(qū)方案

據(jù)日媒報(bào)道，名古屋大學(xué)和日本電裝公司利用橫向 GaN HEMT，合作開(kāi)發(fā)出了一種 800V 兼容逆變器（三相、三電平），主要用于驅(qū)動(dòng)使用的電動(dòng)汽車(chē)牽引電機(jī)（圖 1）。據(jù)了解，名古屋大學(xué)與松下控股、豐田合成、大阪大學(xué)和電裝合作，參與了日本環(huán)境省自 2022 年以來(lái)實(shí)施的項(xiàng)目“加速實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新 CO? 減排材料的社會(huì)實(shí)施和傳播項(xiàng)目”。新開(kāi)發(fā)的高壓三電平逆變器是該項(xiàng)目努力的結(jié)果。圖1 ：電裝橫向 GaN HEMT 電驅(qū)逆變器（左）、單相降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器運(yùn)行時(shí)的開(kāi)關(guān)波形（右）。提高電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)（
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復(fù)旦大學(xué)在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索

異質(zhì)異構(gòu)Chiplet正成為后摩爾時(shí)代AI海量數(shù)據(jù)處理的重要技術(shù)路線之一，正引起整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛關(guān)注，但這種方法要真正實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，仍有賴(lài)于通用標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標(biāo)注的模擬類(lèi)比芯片技術(shù)，在非尺寸依賴(lài)追求應(yīng)用多樣性、多功能特點(diǎn)的現(xiàn)實(shí)需求，正在推動(dòng)不同半導(dǎo)體材料的異質(zhì)集成研究。為此，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授、江南大學(xué)集成電路學(xué)院黃偉教授合作開(kāi)展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng)新研究，并在近期國(guó)內(nèi)重要會(huì)議上進(jìn)行報(bào)道。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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650V耐壓GaN HEMT新增小型與高散熱TOLL封裝

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開(kāi)關(guān)特性，因此在工業(yè)設(shè)備、車(chē)載設(shè)備以及需要支持大功率的應(yīng)用領(lǐng)域被越來(lái)越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導(dǎo)體后道工序供應(yīng)商（OSAT）擁有豐富業(yè)績(jī)的日月新半導(dǎo)體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“ATX”）。
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技術(shù)洞察 | 邁向更綠色的未來(lái)：GaN技術(shù)的變革性影響

作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產(chǎn)品高級(jí)總監(jiān)校對(duì)宋清亮英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)高級(jí)首席工程師過(guò)去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩(wěn)步增長(zhǎng)，并且預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)還將持續(xù)。這種增長(zhǎng)是線下與線上活動(dòng)共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計(jì)，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時(shí)（TWh）。近年來(lái)，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長(zhǎng) [1] 。圖1：1910年以來(lái)
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春晚科技「秧」光：人形機(jī)器人未來(lái)已來(lái)

在科技浪潮的推動(dòng)下，人形機(jī)器人正逐漸從幕后走向臺(tái)前。在 2025 央視春晚中，著名電影導(dǎo)演張藝謀攜手杭州宇樹(shù)科技、新疆藝術(shù)學(xué)院帶來(lái)了一個(gè)名為《秧 BOT》的節(jié)目。舞臺(tái)上，宇樹(shù)科技的人形機(jī)器人與新疆藝術(shù)學(xué)院的舞蹈演員們默契共舞，人機(jī)互動(dòng)的奇妙場(chǎng)景，不僅帶來(lái)了一場(chǎng)別開(kāi)生面的視覺(jué)盛宴，展現(xiàn)出一種前所未有的科技美感，更讓觀眾真切感受到人形機(jī)器人時(shí)代的腳步正越來(lái)越近。這群 BOT 什么來(lái)頭？春晚舞臺(tái)上的《秧 BOT》節(jié)目，由 16 個(gè)靈動(dòng)的 BOT（機(jī)器人 robot 的簡(jiǎn)稱(chēng)）與 16 名技藝精湛的新疆藝術(shù)學(xué)院舞蹈
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日常生活中的工業(yè)技術(shù)：助力智能生活的幕后力量

大多數(shù)人在想象工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)時(shí)，想到的是大型的機(jī)械和復(fù)雜的制造流程，這似乎與日常生活毫無(wú)關(guān)聯(lián)。然而通過(guò)實(shí)時(shí)控制，系統(tǒng)可以在規(guī)定的時(shí)間范圍內(nèi)收集、處理數(shù)據(jù)并自行更新。智能感應(yīng)可以檢測(cè)人員和機(jī)械，而邊緣人工智能 (AI) 可以快速、高效地做出決策。這些技術(shù)涵蓋從制造到物流的方方面面。它們就像超人一樣，從我們?cè)缟掀鸫驳酵砩纤X(jué)休息的這段時(shí)間里，在幕后悄悄地執(zhí)行著各種各樣的任務(wù)，讓我們的世界正常運(yùn)轉(zhuǎn)。對(duì)我們的日常生活來(lái)說(shuō)，在工業(yè)應(yīng)用中使用的技術(shù)與智能手機(jī)一樣重要且有益。它們?yōu)槲覀児?jié)省了時(shí)間，增加了便利性；保護(hù)我
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國(guó)產(chǎn)1700V GaN器件進(jìn)一步打開(kāi)應(yīng)用端市場(chǎng)

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見(jiàn)的電流崩塌問(wèn)題，他們采用特有的極化超級(jí)結(jié)（PSJ: Polarization Super Junction）技術(shù)，并對(duì)工藝進(jìn)行進(jìn)一步優(yōu)化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。本次測(cè)試采用遠(yuǎn)山半導(dǎo)體提供的1700V/100mΩ規(guī)格GaN樣品,其可以輕松應(yīng)對(duì)1000V輸入電壓下的開(kāi)關(guān)測(cè)試需求，在靜態(tài)測(cè)試條件下，1700V時(shí)測(cè)得
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邁向更綠色的未來(lái)：GaN技術(shù)的變革性影響

過(guò)去幾十年間，人口和經(jīng)濟(jì)活動(dòng)的快速增長(zhǎng)推動(dòng)了全球能源消耗的穩(wěn)步增長(zhǎng)，并且預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)還將持續(xù)。這種增長(zhǎng)是線下與線上活動(dòng)共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴(kuò)張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計(jì)，2022 年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340 太瓦時(shí)（TWh）。近年來(lái)，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持續(xù)增長(zhǎng)[1]。圖1 1910年以來(lái)全球二氧化碳排放量（單位：千兆噸）：總量（上）；按行業(yè)劃分（下）隨著能源消耗的增加，相關(guān)的二氧化碳排放量也在2022年達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的37 千兆噸。為應(yīng)對(duì)這一問(wèn)題，
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深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？

/ 編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開(kāi)關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動(dòng)，高可靠等特性使其適合于高性能開(kāi)關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品，對(duì)他們的結(jié)構(gòu)、特性、兩者的應(yīng)用差異等方面進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。引言作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
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想提高高壓LED照明中的效率和功率密度？上GaN技術(shù)！

文章概述本文介紹了寬帶隙（ GaN ）技術(shù)在高壓 LED照明中的應(yīng)用，以及如何解決效率和功率密度挑戰(zhàn)。文章重點(diǎn)討論了利用GaN技術(shù)的LED驅(qū)動(dòng)器架構(gòu)的降壓部分，展示了如何通過(guò)寬帶隙技術(shù)提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能功率BCD工藝柵極驅(qū)動(dòng)器與高電壓GaN晶體管結(jié)合，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并提高了功率密度。事實(shí)證明，高壓LED照明可以有效地取代高強(qiáng)度放電 (HID
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